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Per poter effettivamente sfruttare il potenziale tecnologico del grafene e dei materiali 2D e renderli disponibili per applicazioni in elettronica e optoelettronica è necessario riuscire a sintetizzare questi materiali, soggetti a forze di tipo Van der Waals, su substrati compatibili con la tecnologia CMOS del silicio.
La nostra ricerca si concentra sulla deposizione chimica da fase vapore del grafene e di altri materiali bidimensionali su non-metalli.
In particolare, abbiamo recentemente studiato la crescita di grafene su substrati di germanio di diverso orientamento cristallino [i.e. (100), (110), (111)]. Usando una combinazione di microscopie a sonda (AFM, STM) e tecniche spettroscopiche (XPS, Raman, e ARPES), studiamo gli effetti della terminazione atomica della superficie del substrato sulle proprietà elettroniche del grafene.
Highlight
- Link identifier #identifier__108423-2Tuning the Doping of Epitaxial Graphene on a Conventional Semiconductor via Substrate Surface Reconstruction
J. Phys. Chem. Lett. 12, 4, 1262 (2021) - Link identifier #identifier__143568-3Abrupt changes in the graphene on Ge (001) system at the onset of surface melting
Carbon 145, 345 (2019) - Link identifier #identifier__48068-4Investigating the CVD synthesis of graphene on Ge (100): toward layer-by-layer growth
ACS applied materials & interfaces 8, 33083 (2016)
Membri 
- Link identifier #identifier__82893-5Luciana Di Gaspare
- Link identifier #identifier__21911-6Monica De Seta
- Link identifier #identifier__146801-7Luca Persichetti
Collaborazioni
- Università di Roma Tor Vergata
- Center for Nanotechnology Innovation @NEST, IIT
- Istituto per la fotonica e la nanotecnologia – CNR-IFN
- Technical University of Denmark – DTU